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Zielsetzung
Silicon Radar hat sich zum Ziel gesetzt, ein 24GHz Single-Chip-Radar zu entwickeln. Dabei sollten durch die Integration aller Schaltungsblöcke in einem Chip sowohl die Kosten als auch der Platzbedarf gesenkt werden.
Abbildung 1: Chipfoto 24 GHz Single-Chip Radar
Ergebnisse
Im Laufe des Projektes wurde ein voll integriertes Radar-Frontend für das 24GHz ISM-Band entwickelt. Es arbeitet in eine
Frequenzbereich von 24,0 GHz bis 24,25 GHz. Die wichtigsten Bestandteile sind ein Spannungskontrollierter Oszillator (VCO),
ein Leistungsverstärker (PA), ein Rauscharmer Verstärker (LNA), ein differentieller Ausgangspuffer und eine 16fache
Frequenzteilerschaltung.
Der Chip wurde in der SiGe:C BiCMOS SG25H3-Technologie des IHP gefertigt und ist für den Einsatz in Radar- und Kommunikationssystemen gedacht. Der Chip ist gekennzeichnet durch eine geringe Stromaufnahme, einen breiten Durchstimmbereich und ein niedriges Phasenrauschen. der Temperaturbereich liegt bei -40°C to 95°C. Weiter Details entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Das Datenblatt (engl.) des Single-Chip-Radars kann hier herunter geladen werdren.
Abbildung 2: Block Diagramm 24 GHz Single-Chip Radar
Danksagung
Das Projekt wurde vom Land Brandenburg und der EU gefördert (#80129368).